| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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NIF9N05CLT1G |
TO-261-4，TO-261AA | ON Semiconductor | 4168 | 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923 询价QQ：  |
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NIF9N05CLT1G参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 包装数量：1000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：59V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 35V 功率 - 最大值：1.69W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 晶体管(BJT) BST15,115 Card EdgeACM12DRAN 接口 - 模拟开关M74HC4051RM13TR 存储器MT47H32M16HR-25EIT:G FFC，FPC（扁A9CAA-1202F 振荡器FXO-LC538-280 铝电容器B43508E2687M80 存储器MT28F128J3FS-12ETTR 振荡器FXO-LC730-66.667 圆形KPT07A8-4S |
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